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PUMD4

更新时间:2025-05-25 10:57:49
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PUMD4 规格参数
  • 晶体管极性:
    npn型/ PNP输出
  • 电压, Vceo:
    50V
  • 功耗, Pd:
    200mW
  • 集电极直流电流:
    100mA
  • 直流电流增益 hFE:
    200
  • 工作温度范围:
    -65°C 到 +150°C
  • 封装类型:
    SOT-363
  • 针脚数:
    6
  • SVHC(高度关注物质):
    No SVHC (18-Jun-2012)
  • 功耗:
    200mW
  • 封装类型:
    SOT-363
  • 总功率, Ptot:
    300mW
  • 晶体管数:
    2
  • 晶体管类型:
    偏压电阻（BRT）
  • 最大连续电流, Ic:
    100A
  • 模块配置:
    双
  • 满功率温度:
    25°C
  • 电压, Vcbo:
    50V
  • 电流, Ic hFE:
    1mA
  • 电流, Ic 最大:
    100A
  • 电阻, R1:
    10kohm
  • 直流电流增益 hfe, 最小值:
    200
  • 表面安装器件:
    表面安装
  • 饱和电压, Vce sat 最大:
    150mV
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