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PUMH4

更新时间:2025-07-10 21:54:30

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产品型号
服务标识
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封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
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SOT363/2023
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市德江源电子有限公司
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SPT363/08+
只卖原装正品

深圳市宏世佳电子科技有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市捷富芯科技有限公司
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深圳市汉威信息技术有限公司
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6000
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SOT363/2024+
公司现货库存，假一赔十

深圳市佳鑫美电子科技有限公司
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现货专家，只做原装现货

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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深圳市福田区超洋芯电子经营部
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市佳达源电子有限公司
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PUMH4 概述

PUMH4是英飞凌科技（Infineon Technologies）推出的一款高性能硅基横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（LDMOS FET）。该器件专门设计用于射频功率放大应用，特别是针对移动通信基站和其他无线基础设施设备。PUMH4能够在较宽的频率范围内提供高效率和卓越的线性度，适合在多级功率放大器架构中作为最终级或驱动级使用。此款晶体管支持的工作频率可高达约3.8 GHz，在28V供电条件下能实现较高的输出功率密度及增益。它采用了优化的热阻设计，有助于提高散热性能并增强可靠性。由于其优越的热稳定性和长期稳定性，PUMH4非常适合用于要求苛刻的商业和工业无线通信系统中。在实际应用时，需注意匹配网络的设计以确保最佳性能，并遵循制造商提供的布局指南以减少寄生效应。

PUMH4 规格参数

晶体管极性:
npn型
电压, Vceo:
50V
功耗, Pd:
200mW
集电极直流电流:
100mA
直流电流增益 hFE:
200
工作温度范围:
-65°C 到 +150°C
封装类型:
SOT-363
针脚数:
6
SVHC(高度关注物质):
No SVHC (18-Jun-2012)
功耗:
200mW
封装类??:
SOT-363
总功率, Ptot:
300mW
晶体管数:
2
晶体管类型:
偏压电阻（BRT）
最大连续电流, Ic:
100A
模块配置:
双
满功率温度:
25°C
电压, Vcbo:
50V
电流, Ic hFE:
1mA
电流, Ic 最大:
100A
电阻, R1:
10kohm
电阻, R1 PNP:
10kohm
直流电流增益 hfe, 最小值:
200
表面安装器件:
表面安装
饱和电压, Vce sat 最大:
150mV

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