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QS6K1

更新时间:2025-07-06 20:21:31
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QS6K1 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    15 ns
  • 典型接通延迟时间
    7 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    1.7 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds
    77 pF V @ 10
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    1.6mm
  • 封装类型
    TSMT
  • 尺寸
    2.9 x 1.6 x 0.85mm
  • 引脚数目
    6
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    1250 mW
  • 最大栅源电压
    12 V
  • 最大漏源电压
    30 V
  • 最大漏源电阻值
    0.238
  • 最大连续漏极电流
    1 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    2
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    双
  • 长度
    2.9mm
  • 高度
    0.85mm
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