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QS6K1

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QS6K1 相关资料
  • 其它信息:

    电流参数:ID=±1A/IDP=±4A/IS=0.8A/ISP=4A/IGSS=10μA/IDSS=1μA
    电压参数:UDSS=30V/UGSS=12V/UGS(th) =1.5V
    功  率: PD=1.25W
    其他参数: 4.5vV/170mΩ、2.5V/260mΩ
    极  性:N/N
    备  注:双场效应管/内含二极管

  • 技术应用:

    QS6K1内部电路图
    QS6K1内部电路如下图所示:    来源:与你同行

QS6K1PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 典型关断延迟时间:15 ns
  • 典型接通延迟时间:7 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:1.7 nC V @ 4.5
  • 典型输入电容值@Vds:77 pF V @ 10
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.6mm
  • 封装类型:TSMT
  • 尺寸:2.9 x 1.6 x 0.85mm
  • 引脚数目:6
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:1250 mW
  • 最大栅源电压:12 V
  • 最大漏源电压:30 V
  • 最大漏源电阻值:0.238
  • 最大连续漏极电流:1 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:2
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:双
  • 长度:2.9mm
  • 高度:0.85mm
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