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QSH29TR

更新时间:2025-05-19 01:18:41
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QSH29TR外观图

QSH29TR

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS NPN DUAL DIGITAL TSMT6

  • 封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
QSH29TR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    60V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）
    10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    500 @ 200mA，5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    300mV @ 1mA，100mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 频率 - 转换
    -
  • 功率 - 最大
    1.25W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装
    TSMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
QSH29TR Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
2795
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广东微尔科技有限公司
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