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QST8TR

更新时间:2025-07-04 10:31:24
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QST8TR外观图

QST8TR

ROHM Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列

TRANSISTOR PNP 12V 1.5A TSMT6

  • 封装:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
QST8TR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    200mV @ 25mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    -
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    270 @ 200mA，2V
  • 功率 - 最大
    1.25W
  • 频率 - 转换
    400MHz
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装
    TSMT6
  • 包装
    带卷 (TR)
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