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QST8TR

更新时间:2025-04-16 04:44:41
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QST8TR的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

QST8TR外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列：-
  • 晶体管类型：2 PNP（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1.5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 25mA，500mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：270 @ 200mA，2V
  • 功率 - 最大：1.25W
  • 频率 - 转换：400MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
  • 供应商设备封装：TSMT6
  • 包装：带卷 (TR)
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