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RDD022N50TL

更新时间:2025-06-13 11:29:54
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RDD022N50TL 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    卷带（TR）
  • 产品状态
    不适用于新设计
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    2A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    5.4 欧姆 @ 1A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4.7V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    6.7 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    168 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    20W（Tc）
  • 工作温度
    150°C（TJ）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 供应商器件封装
    CPT3
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
芯知识
2.8万
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广东微尔科技有限公司
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