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RFD3055LE

更新时间:2025-05-29 13:51:14

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RFD3055LE外观图

RFD3055LE

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK

封装:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

RFD3055LE 概述

R055LE是由Rohm公司生产的一款N沟道增强型MOSFET。它采用SOT-23FL封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为4.5V时典型值为36mΩ。该器件最大漏极电流可达2A，适用于多种电路设计需求。此款MOSFET常用于电源管理、负载开关和电机驱动等应用中。例如在便携式设备的电源路径管理电路里，可以高效地控制电源的通断。在电机驱动方面，可用于小型直流电机的速度控制与方向切换。由于其紧凑的封装形式，特别适合对空间有严格要求的产品设计。使用时应注意遵循最大额定值规范，防止过压或过流导致器件损坏。在电路布局上要尽量减小走线电感以避免振荡现象的发生。

RFD3055LE 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
11A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
107 毫欧 @ 8A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
38W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商设备封装
I-Pak
包装
管件

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