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RP1E100RPTR

更新时间:2025-07-22 07:41:55
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RP1E100RPTR外观图

RP1E100RPTR

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 30V 10A MPT6

  • 封装:6-SMD，扁平引线
RP1E100RPTR 规格参数
  • 特色产品
    ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    12.6 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    39nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3600pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装
    MPT6
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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