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RQ1A070ZPTR

更新时间:2025-07-05 02:21:49
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RQ1A070ZPTR外观图

RQ1A070ZPTR

ROHM Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

  • 封装:8-SMD
RQ1A070ZPTR 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    12 毫欧 @ 7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    7400pF @ 6V
  • 功率 - 最大
    1.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SMD
  • 供应商设备封装
    TSMT8
  • 包装
    带卷 (TR)
RQ1A070ZPTR Datasheet数据手册 PDF下载
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广东微尔科技有限公司
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