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RTU002P02

更新时间:2025-05-20 17:36:53
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RTU002P02 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    35 ns
  • 典型接通延迟时间
    9 ns
  • 典型输入电容值@Vds
    50 pF V @ 10
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    1.6mm
  • 封装类型
    TSMT
  • 尺寸
    2.9 x 1.6 x 0.85mm
  • 引脚数目
    3
  • 最大功率耗散
    200 mW
  • 最大栅源电压
    ±12 V
  • 最大漏源电压
    20 V
  • 最大漏源电阻值
    1.5
  • 最大连续漏极电流
    0.25 A
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    P
  • 配置
    单
  • 长度
    2.9mm
  • 高度
    0.85mm
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