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RFD16N05LSM9A

更新时间:2025-05-20 17:35:54

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
RFD16N05LSM9A
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市誉辉天成电子有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市讯运电子有限公司
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ONSEMI/安森美
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1比1质量完美通用/包上机可供更多

深圳市硅诺电子科技有限公司
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59000
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原厂发货进口原装微信同步QQ893727827

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现货十年以上分销商,原装进口件,服务型企业

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代理分销现货库存，本公司承诺原装正品假一赔百

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低价出售原装现货可看货假一罚十

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深圳市金灿利电子科技有限公司
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全新原装现货，价格优势，供应中欢迎咨询

深圳市美思瑞电子科技有限公司
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市场最低价原厂原装假一罚十

深圳市华美锐电子有限公司
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公司现货，进口原装热卖

深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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原装正品热卖，价格优势

深圳市赛美科科技有限公司
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一级代理，原装假一罚十价格优势长期供货

深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市创宝来科技有限公司
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45000
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原装正品，亚太区混合型电子元器件分销

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RFD16N05LSM9A外观图

RFD16N05LSM9A

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

RFD16N05LSM9A 概述

RFD16N05LSM9A是由ROHM公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅极结构，具有低导通电阻特性，在5V栅源电压下典型导通电阻仅为0.032Ω，可有效降低导通损耗。它适用于多种应用场景，如直流-直流转换器、电机驱动控制以及各种需要高效功率开关的电源管理系统。在电机驱动应用中，其快速开关速度有助于提高系统效率并减少热损耗。在进行电路设计时，需注意其最大漏源电压为55V，连续漏极电流可达16A，要确保实际工作条件不超过这些极限参数。由于是MOSFET器件，在焊接和使用过程中要注意防止静电损坏。

RFD16N05LSM9A 规格参数

产品培训模块
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
16A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
47 毫欧 @ 16A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
-
功率 - 最大
60W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252AA
包装
带卷 (TR)
其它名称
RFD16N05LSM9ATR

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