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SH8M2TB1

更新时间:2025-05-20 19:43:24
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SH8M2TB1外观图

SH8M2TB1

ROHM Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH 30V SOP8

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
SH8M2TB1 规格参数
  • 特色产品
    ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    N 和 P 沟道
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    83 毫欧 @ 3.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    3.5nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    140pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOP
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SH8M2TB1TR
SH8M2TB1 Datasheet数据手册 PDF下载
芯知识
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广东微尔科技有限公司
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