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SI2318DS-T1-E3

更新时间:2024-04-16 05:25:16
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SI2318DS-T1-E3外观图

  • 大小：71.3KB
  • 厂家：Vishay
  • 描述： MOSFET,N CH,40V,3A,SOT23-3; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):36mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:3A; Power Dissipation Pd:750mW; Voltage Vgs Max:20V
  • 数据列表：SI2318DS
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：TrenchFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：45 毫欧 @ 3.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：540pF @ 20V
  • 功率 - 最大：750mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：SI2318DS-T1-E3TR
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