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SI2327DS-T1-E3

更新时间:2025-05-15 19:05:42
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SI2327DS-T1-E3 规格参数
  • 数据列表
    SI2327DS
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchFET®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    380mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.35 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    510pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    750mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装
    SOT-23-3（TO-236）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    SI2327DS-T1-E3TR
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