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SIHG25N40D-GE3

更新时间:2025-05-22 08:31:13
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SIHG25N40D-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    400 V
  • 闸/源击穿电压
    30 V
  • 漏极连续电流
    25 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    200 mOhms
  • 配置
    Single
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-247 AC
  • 封装
    Bulk
  • 下降时间
    37 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）
    7.4 S
  • 栅极电荷 Qg
    44 nC
  • 功率耗散
    278 W
  • 上升时间
    57 ns
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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