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SISA04DN-T1-GE3

更新时间:2025-05-27 09:43:36
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SISA04DN-T1-GE3 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    30 V
  • 闸/源击穿电压
    + 20 V, - 16 V
  • 漏极连续电流
    40 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.00215 Ohms at 10 V
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    PowerPAK 1212-8
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    52 W
  • 零件号别名
    SISA04DN-GE3
芯产品
5.6万
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广东微尔科技有限公司
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