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SMBT35200MT1G

更新时间:2025-05-29 07:56:37
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SMBT35200MT1G 规格参数
  • 品牌：ON Semiconductor
  • 描述：TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
  • 包装：3000/标准卷带
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：2A
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：35V
  • 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：310mV @ 20mA，2A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA
  • 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 1.5A，1.5V
  • 功率 - 最大值：625mW
  • 频率 - 跃迁：100MHz
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装/外壳：SOT-23-6
  • 供应商器件封装：6-TSOP
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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