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SPB80N10L

更新时间:2025-05-15 21:50:54

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
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一级代理，原装正品，账期支持，终端通让采购更放心！
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 80A D2PAK/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市能元时代电子有限公司
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82643
Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市威尔健半导体有限公司
SPB80N10L
5000
INFINEON/英飞凌
TO263/2025+
原装现货，实单支持

深圳市硅诺电子科技有限公司
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54500
infineon
TO263/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市昌和盛利电子有限公司
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16580
INFINEON原装专卖价格
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专注原装价格优量大可定欢迎惠顾(长期高价回收全新

深圳市伟科芯电子科技有限公司
SPB80N10L
5000
INFINEON/英飞凌
TO263/23+
原装现货，实单支持

深圳市得捷芯城科技有限公司
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34750
INFINEON/英飞凌
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
SPB80N10L
6000
INFINEON
TO263/23+
终端可免费供样，支持BOM配单

深圳市威雅利发展有限公司
SPB80N10L
8000
Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/23+
原厂渠道，现货配单

深圳市金科创世纪电子有限公司
SPB80N10L
10000
INFINEON
PGTO26332/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

瀚佳科技（深圳）有限公司
SPB80N10L
16800
infineon
PTO26332/26+
一级代理分销/放心采购

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
SPB80N10L
8913
INFINEON/英飞凌
TO263/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
INFINEON
TO263/10+
原装正品,配单能手

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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540030
NXP/恩智浦
TO252/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

蓝界科技（深圳）有限公司
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Infineon Technologies
PGTO26332/16+
代理直销，公司原装现货供应

深圳市南科功率半导体有限公司
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686868
NK/南科功率
TO2632/2025+
南科国产替代

无锡固电半导体股份有限公司
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5000
ISC/无锡固电
D2PAK/TO263/26+
国产品牌isc，替代进口

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
INFINEON
TO263/10+
原装正品，配单能手

上海熠富电子科技有限公司
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原装现货上海库存，欢迎查询

深圳市富科达科技有限公司
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深圳市群川盛达电子有限公司
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深圳市金华微盛电子有限公司
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Infineon/英飞凌
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公司Infineon现货估计免费提供样品

深圳市吉翰电子有限公司
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31500
INFINEON/英飞凌
TO263/2024+
公司现货库存，假一赔十

深圳市福田区超洋芯电子经营部
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5000
INFINEON/英飞凌
TO263/23+
原装现货，实单支持

北京睿宸齐芯科技有限公司
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DPAK/TO263/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代

深圳市特莱科技有限公司
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6000
INFINEON英飞凌
D2PAK(TO263)/-
特价实单支持

深圳市程信达伟业电子有限公司
SPB80N10L
8000
英飞凌/西门子
TO/08+
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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Infineon Technologies
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
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深圳市捷富芯科技有限公司
SPB80N10L
31500
INFINEON/英飞凌
TO263/2026+
原装现货，实单支持

深圳市亿科泰电子科技有限公司
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原装部分现货量大期货

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PGTO26332/23+
长期供应原装

深圳市佳达源电子有限公司
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只做原装，专注提供BOM配单服务

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23482
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SPB80N10L 概述

SPB80N10L是英飞凌（Infineon）公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频开关电源、电机驱动和其他高效能电力电子应用。其最大漏源电压为100V，连续漏极电流可达80A，在需要大电流处理能力的场合表现出色。由于其优秀的热稳定性和低栅极电荷，能够实现快速切换并减少开关损耗，广泛应用于直流-直流转换器、不间断电源系统以及电动工具等设备中。使用时需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启，并且在布局PCB时尽量减小寄生电感以避免振荡现象的发生。

SPB80N10L 规格参数

现有数量
0现货
系列
SIPMOS?
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 58A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4540 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

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