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SPD02N60S5

更新时间:2025-06-15 06:23:58

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SPD02N60S5 概述

SPD02N60S5是英飞凌科技生产的MOSFET，采用CoolMOS S5技术。该器件具有低导通电阻和栅极电荷的特点，适用于高频开关应用。它在600V的电压等级下工作，最大连续漏极电流为2A。其优化的设计使得开关损耗显著降低，特别适合于高效率电源转换器、适配器以及照明驱动器等应用场合。在实际应用中，这款MOSFET常用于反激式变换器的初级侧开关。设计时需注意选择合适的栅极驱动电阻以控制开关速度，同时确保栅极电压不超过规定范围。为了提高系统的稳定性，建议添加适当的缓冲电路来抑制电压尖峰。此外，在PCB布局阶段要保证源极和漏极之间的走线尽可能短，以减少寄生电感的影响。

SPD02N60S5 规格参数

数据列表
SP(U,D)02N60S5
产品培训模块
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 欧姆 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
9.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
240pF @ 25V
功率 - 最大
25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
PG-TO252-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
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