其它信息：

读、写操作电压2.7～3.6V；串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3；最大时钟频率：33MHz；高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年；超低功耗，动态读出电流：7mA(典型值)，待机电流：8μA(典型值)；灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块；快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：70ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：14μs(典型值)；自动地址增加(AAI)程序；字节编程操作减少整个芯片的编程时间；写操作完成监测：软件状态；保持引脚(HOLD＃)：在没有取消选择1个装罩时挂起一个串行的序列；写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法；软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：0～＋70℃(商用级C)，- 40～＋85℃(工业级I)，- 20～＋85℃(扩展级E)；温度范围：0～＋70℃(商用级C)
引脚图：

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SST25VF512A-33-4C-SAE外观图

大小：290.92KB
厂家：Silicon Storage Tech
描述： MEMORY, FLASH, 512KBIT, SPI, 8SOIC; Memory Type:Flash; Memory Size:512Kbit; Memory Configuration:64K x 8; Interface Type:Serial, 4-wire, SPI; Clock Frequency:33MHz; Supply Voltage Range:2.7V to 3.6V; Memory Case Style:SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:0°C to +70°C; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Interface:SPI; Memory Configuration:64K x 8bit; Memory Type:Flash
特色产品：SST Serial and Parallel Flash Memory
标准包装：100
类别：集成电路 (IC)
家庭：存储器
系列：SST25
格式 - 存储器：闪存
存储器类型：FLASH
存储容量：512K (64K x 8)
速度：33MHz
接口：SPI 串行
电源电压：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：0°C ~ 70°C
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC
包装：管件

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