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SSW2N60BTM

更新时间:2025-05-12 04:59:24
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SSW2N60BTM的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准
  • 制造商：Fairchild Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：600 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 30 V
  • 漏极连续电流：2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：TO-263
  • 封装：Reel
  • 下降时间：40 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.05 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：3.13 W
  • 上升时间：50 ns
  • 工厂包装数量：750
  • 典型关闭延迟时间：40 ns
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