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STB12NM60N-1

更新时间:2025-07-11 07:42:48
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STB12NM60N-1外观图

STB12NM60N-1

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
STB12NM60N-1 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    MDmesh™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    10A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    410 毫欧 @ 5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    30.5nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    960pF @ 50V
  • 功率 - 最大
    90W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    I2PAK
  • 包装
    管件
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