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STB150NF04

更新时间:2025-06-07 00:22:04

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STB150NF04

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

STB150NF04 概述

STB150NF04是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高电流处理能力。其最大漏源电压为40V，连续漏极电流在25°C时可达150A。它专为高效能应用设计，适合用于开关电源、电机驱动、电池充电器和其他需要快速开关和低损耗的功率转换电路中。在实际应用中，应确保散热良好以维持性能并避免过热。对于电机驱动应用，建议配合合适的栅极驱动电路使用，以实现最佳开关速度和效率。

STB150NF04 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫欧 @ 40A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3650pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-8805-6

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