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STB3NA80

更新时间:2025-05-16 23:02:02

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深圳市诚研翔科技有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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得捷（深圳）商贸有限公司
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艾润（香港）电子有限公司
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STB3NA80 概述

3NA80是意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的SuperMESH技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效电源转换应用。其最大漏源电压为800V，连续漏极电流能力为3A，在高温环境下仍能保持稳定性能。典型应用场景包括开关电源、适配器、LED驱动器以及工业控制设备中的功率转换电路。在反激式转换器设计中，STB3NA80可作为主开关管使用，能够有效降低功耗并提高效率。建议在实际应用中注意栅极驱动电路的设计，确保足够的驱动能力以实现快速开关，同时采取适当的散热措施以维持器件工作温度在安全范围内。

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