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STB55NE06

更新时间:2025-05-16 07:16:11
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STB55NE06 规格参数
  • 制造商
    STMicroelectronics
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    60 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    55 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.022 Ohms
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-263
  • 最小工作温度
    - 60 C
  • 功率耗散
    130 W
  • 上升时间
    120 ns
  • 工厂包装数量
    1000
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