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STF11NM65N

更新时间:2024-05-07 20:14:09
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  • 制造商:STMicroelectronics
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:650 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 25 V
  • 漏极连续电流:12 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.38 Ohms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP
  • 封装:Tube
  • 下降时间:20 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:30 W
  • 上升时间:13 ns
  • 典型关闭延迟时间:55 ns
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