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STF18N60M2

更新时间:2025-05-25 16:18:03

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STF18N60M2 概述

STF18N60M2是意法半导体生产的一款高压功率MOSFET，专为高效能应用设计。它采用MDmesh M2技术，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，这使得它在高频开关应用中表现出色。其最大漏源电压(Vds)为600V，连续漏极电流(Id)为18A，适用于多种电源管理应用。典型应用场景包括不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、开关电源(SMPS)以及工业电机驱动等。在这些应用中，该MOSFET能够有效提高系统效率并减少热损耗。使用时应注意合理布局PCB以优化散热性能，并确保栅极驱动电路的设计能够满足器件的开关速度要求。例如，在设计开关电源时，可以将此MOSFET与合适的控制IC配合使用，实现高效的能量转换。

STF18N60M2 规格参数

现有数量
390现货
系列
MDmesh? II Plus
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
280 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
21.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
791 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
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封装/外壳
TO-220-3 整包

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