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STFV3N150

更新时间:2025-06-12 00:02:59

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STFV3N150

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220FH

封装:TO-220-3 全封装，隔离接片

STFV3N150 概述

V3N150是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压N沟道MOSFET。该器件专为需要高击穿电压和低导通电阻的应用设计，最大漏源电压(VDS)可达150V，连续漏极电流(ID)在25°C时为3A。其超低的导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗，提高系统效率。STFV3N150采用紧凑型SOT-23封装，适合空间受限的设计场景。典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中。由于其高可靠性和稳定性，也常用于工业控制和汽车电子领域。在实际应用中，需注意栅极驱动电压的选择以确保完全开启MOSFET，同时应合理布局PCB以优化散热性能。

STFV3N150 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PowerMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
1500V（1.5kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9 欧姆 @ 1.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
29.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
939pF @ 25V
功率 - 最大
30W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
供应商设备封装
TO-220-3
包装
管件
其它名称
497-6319-5

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