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STH10NC60

更新时间:2025-06-10 20:20:58

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STH10NC60 概述

STH10NC60是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能电源转换应用。该器件的最大漏源电压为600V，连续漏极电流可达10A，非常适合于交流-直流电源转换器、不间断电源系统和电机驱动控制等场景。在电路设计中，建议确保栅极驱动电路能够提供足够的电压以保证MOSFET完全导通，并且要注意散热设计，防止因过热导致性能下降或损坏。在选择配套元件时，应考虑与之搭配的二极管和电容的耐压值和频率响应特性，以优化整体电路性能。

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