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STH180N10F3-6

更新时间:2025-05-29 21:35:09
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STH180N10F3-6外观图

STH180N10F3-6

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK

  • 封装:TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
STH180N10F3-6 规格参数
  • 其它有关文件
    STH180N10F3-6 View All Specifications
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    STripFET™ III
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    180A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    4.5 毫欧 @ 60A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    114.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    6665pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    315W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片）
  • 供应商设备封装
    H²PAK
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    497-11840-6
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