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STH26N25FI

更新时间:2025-07-13 07:43:03

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STH26N25FI 概述

STH26N25FI是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高压应用设计，最大漏源电压(Vds)可达250V，连续漏极电流(Id)在25℃时为17A。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗，提高系统效率。典型应用包括开关电源、不间断电源(UPS)、电机驱动以及工业自动化设备中的高频开关电路。在实际使用中，建议在栅极和源极之间加装适当阻值的电阻以控制开关速度并减少振荡；同时注意散热设计，确保工作温度不超过最大额定值以保证可靠性。根据具体应用场景调整栅极驱动电压和电流能力，以实现最佳性能。

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