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STI11NM80

更新时间:2025-06-11 02:06:54
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STI11NM80外观图

STI11NM80

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK-3

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
STI11NM80 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    MDmesh™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    800V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    400 毫欧 @ 5.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    43.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1630pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    150W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    I2PAK（TO-262）
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    497-13106-5
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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