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STN2NE10L

更新时间:2025-06-16 10:25:48
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STN2NE10L外观图

STN2NE10L

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
STN2NE10L 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    STripFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    400 毫欧 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    14nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    345pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223
  • 包装
    带卷 (TR)
STN2NE10L Datasheet数据手册 PDF下载
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