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STP160N75F3

更新时间:2025-05-01 04:22:32
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  • 深圳市君云达电子科技有限公司

  • STP160N75F3

    STP160N75F3
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    2. 供应商承诺此料号是“现货” ，如果无货或数量严重不足(实际数量不到显示数量一半)，投诉成立奖励您500元。

  • 10

  • ST

  • TO220/14+

  • 原装现货不仅销售也回收

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STP160N75F3外观图

  • 大小：389.1KB
  • 厂家：STMicroelectronics
  • 描述： MOSFET, N CH, 75V, 120A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:120A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:330W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 其它有关文件：STP160N75F3 View All Specifications
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：STripFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 60A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：85nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：6750pF @ 25V
  • 功率 - 最大：330W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-7508-5STP160N75F3-ND
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STP160N75F3推荐型号
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