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STP19NF20

更新时间:2025-05-16 03:53:16

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STP19NF20

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 200V 15A TO-220

封装:TO-220-3

STP19NF20 概述

STP19NF20是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的最大漏源电压为200V，在室温下连续漏极电流可达19A。它适用于多种电源管理应用，如不间断电源、电机驱动、DC-DC转换器等。其高效率和可靠性使得在工业控制和消费类电子设备中也常被采用。使用时应注意栅极驱动电路的设计以确保可靠开启和关闭MOSFET，避免过冲电压损坏栅极绝缘层。在电路设计中，可以采用共源配置，并根据具体应用选择合适的栅极电阻值以优化开关速度。

STP19NF20 规格参数

其它有关文件
STP19NF20 View All Specifications
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫欧 @ 7.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
90W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
497-7514-5STP19NF20-ND

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