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STP45N10

更新时间:2025-05-19 05:16:41

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
STP45N10
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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原装正品，配单能手

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TO220/2024+
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TO220/2025+
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5000
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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8000
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7627
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深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
ST
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原装正品,配单能手

艾润（香港）电子有限公司
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深圳市迈锐达科技有限公司
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8008
ST MICROELECTRONICS SEMI
-/0831+
原装现货0755-83202829QQ1196559117

上海驰循电子科技有限公司
STP45N10
40
ST/ELNAF
TO220/1904+
原装现货,精专配套,正品BOM表报价

深圳市粤东诚信电子有限公司
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12000
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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一级代理
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深圳市星宇佳科技有限公司
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1000
ST(意法半导体)
TO220/20+
20+

深圳市威雅利发展有限公司
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7300
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TSSOP/23+
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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3000
ST
TSSOP/24+
原装现货,提供优质配单服务

瀚佳科技（深圳）有限公司
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65200
ST(意法半导体)
TO2203/21+
-

深圳市华斯顿科技有限公司
STP45N10F7
58470
ST
TO220/25+23+
原装全新现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市毅创辉电子科技有限公司
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51300
ST
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原装现货，可提供订货服务

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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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300000
ST(意法半导体)
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STP45N10 概述

45N10是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源管理应用。其典型应用场景包括不间断电源(UPS)、直流-直流转换器以及电机驱动控制等。在电源管理系统中，STP45N10常被用作高频开关元件，能够有效降低功耗并提高系统效率。设计时需注意栅极驱动电路的设计，确保栅极电压足够高以充分开启MOSFET，同时避免过高的电压损坏栅极氧化层。在实际电路布局上，尽量缩短源极与栅极之间的走线长度，减少寄生电感影响，从而提升整体电路性能。此外，在电机驱动应用中，建议加入适当的散热措施以防止过热损坏。

STP45N10 规格参数

制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
100 V
闸/源击穿电压
+/- 25 V
漏极连续电流
45 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.035 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
下降时间
35 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
40 S
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
150 W
上升时间
75 ns
工厂包装数量
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