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STP50N06LFI

更新时间:2025-07-08 06:38:40

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STP50N06LFI 概述

STP50N06LFI是由意法半导体生产的N沟道MOSFET。它采用D²PAK封装，具有低导通电阻特性，典型Rds(on)值在10V栅源电压下为0.027欧姆。这款MOSFET适用于多种功率管理应用，如电源转换器、电池充电器和电机驱动电路等。其高效率和可靠性使其成为紧凑型设计的理想选择。在实际应用中，使用时应注意控制栅极电压以确保完全开启，避免因欠驱动导致的过热现象。对于电机驱动应用，需考虑适当的散热措施，并根据负载电流大小选择合适的PCB铜箔面积来帮助散热。连接时要保证焊点质量良好，以减少接触电阻并提高整体电路稳定性。

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