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STP7NB40

更新时间:2025-06-23 12:10:40

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STP7NB40 概述

STP7NB40是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源应用。其最大漏源电压为400V，连续漏极电流可达7A，在保证高效能的同时，能够有效减少开关损耗。典型应用场景包括交流-直流适配器、LED驱动器、电机控制以及各种消费电子设备中的电源管理模块。由于其良好的热特性和紧凑的封装设计，特别适合空间受限但又要求高性能的应用场合。在实际应用中，建议在栅极串联一个小电阻（如10欧姆）以抑制振荡，并在源极与栅极之间并联一个齐纳二极管用于静电保护。此外，PCB布局时应尽量缩短源极到地的走线长度，以降低寄生电感对开关性能的影响。

STP7NB40 规格参数

制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
400 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.75 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube
下降时间
9 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
4.2 S
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
100 W
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
50

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