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STP9NK65ZFP

更新时间:2025-07-04 08:03:39

供应商
产品型号
服务标识
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封装/批号
说明
询价

香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市恒芯巨能电子有限公司
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23000
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STP9NK65ZFP外观图

STP9NK65ZFP

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 650V 6.4A TO-220FP

封装:TO-220-3 整包

STP9NK65ZFP 概述

STP9NK65ZFP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频应用。其最大漏极电流为9A，击穿电压达到650V，非常适合于高压应用场合。典型应用场景包括电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及照明控制系统等需要高效能开关元件的领域。在电源管理系统中，这款MOSFET能够有效提高效率并减少能量损耗。使用时应注意适当的散热设计以确保长期稳定工作。电路设计时需关注栅极驱动电路的设计，保证足够的驱动电压来实现最佳性能。此外，在布局PCB时应尽量缩短源极与栅极之间的走线长度，减少寄生电感的影响。

STP9NK65ZFP 规格参数

其它有关文件
STP9NK65ZFP View All Specifications
标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
6.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 欧姆 @ 3.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
41nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1145pF @ 25V
功率 - 最大
30W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商设备封装
TO-220FP
包装
管件
其它名称
497-12621-5STP9NK65ZFP-ND

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