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STQ1HNK60R-AP

更新时间:2025-05-21 03:50:56
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STQ1HNK60R-AP 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    19 ns
  • 典型接通延迟时间
    6.5 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    7 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    156 pF V @ 25
  • 安装类型
    通孔
  • 宽度
    3.94mm
  • 封装类型
    TO-92
  • 尺寸
    4.95 x 3.94 x 4.95mm
  • 引脚数目
    3
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    3 W
  • 最大栅源电压
    ±30 V
  • 最大漏源电压
    600 V
  • 最大漏源电阻值
    8.5
  • 最大连续漏极电流
    0.4 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N
  • 配置
    单
  • 长度
    4.95mm
  • 高度
    4.95mm
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