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STQ2N62K3-AP

更新时间:2025-05-17 10:36:06

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STQ2N62K3-AP 概述

STQ2N62K3-AP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高压N沟道MOSFET。该器件设计用于高电压应用，最大漏源电压（Vds）可达620V，适用于电源管理、工业控制及消费电子等领域。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低开关损耗并提高效率，同时快速开关特性使其在高频应用中表现出色。典型应用场景包括开关电源、电机驱动和逆变器电路。使用时应注意适当的散热设计以确保稳定工作，并根据具体应用选择合适的栅极驱动电压。在电路设计中，需考虑其最大电流能力和热阻参数，以保证可靠性和安全性。

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