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STS12NH3LL

更新时间:2025-06-24 03:28:49

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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市高胜电子有限公司
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1060
ST
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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SOP8/23+
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市华鸿芯科技有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳市拓华芯诺科技有限公司
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3000
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深圳市福田区超洋芯电子经营部
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收此型号STS12NH3LL

深圳市福田区金丰民发电子经营
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深圳市恒芯巨能电子有限公司
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20000
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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TSSOP16/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市莱克讯科技有限公司
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STS12NH3LL

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

STS12NH3LL 概述

STS12NH3LL是意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性。该MOSFET的典型应用包括直流-直流转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理电路中。其最大漏源电压（VDS）为30V，适合于低压系统中的功率控制需求。在电池供电设备、消费电子及工业自动化领域广泛应用。由于其优秀的热性能和电气特性，有助于提高系统的整体效率并减小尺寸。使用时应注意合理设计栅极驱动电路以确保可靠开启和关闭，并考虑适当的散热措施以保证器件稳定工作。

STS12NH3LL 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
12A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
965pF @ 25V
功率 - 最大
2.7W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SO
包装
Digi-Reel?
其它名称
497-4122-6

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