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STV160NF02LAT4

更新时间:2025-06-12 07:59:21
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STV160NF02LAT4外观图

STV160NF02LAT4

STMicroelectronics FET - 单

MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10

  • 封装:PowerSO-10 裸露底部焊盘
STV160NF02LAT4 规格参数
  • 标准包装
    600
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    STripFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    160A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.7毫欧 @ 80A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    175nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5500pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    210W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商设备封装
    PowerSO-10
  • 包装
    带卷 (TR)
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