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SUP85N02-03-E3

更新时间:2025-06-15 06:41:18
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SUP85N02-03-E3 规格参数
  • 标准包装
    500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    85A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3 毫欧 @ 30A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    450mV @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    200nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    21250pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    250W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3
  • 供应商设备封装
    TO-220AB
  • 包装
    带卷 (TR)
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