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SI4949EY

更新时间:2025-06-20 18:03:35
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SI4949EY 规格参数
  • 制造商
    Vishay
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    60 V, 30 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    4.5 A, - 5.1 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.055 Ohms
  • 配置
    Dual Dual Drain
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOIC-8 Narrow
  • 下降时间
    11 ns, 15 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    2.4 W
  • 上升时间
    11 ns, 13 ns
  • 工厂包装数量
    100
  • 典型关闭延迟时间
    36 ns, 25 ns
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