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STU9NA60

更新时间:2025-06-13 14:24:48

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STU9NA60 概述

9NA60是意法半导体生产的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用场合。其最大漏源电压为600V，能够承受较大的电压应力，在电源管理、电机驱动等领域有着广泛应用。在开关电源中，STU9NA60可用于初级侧的功率开关管，帮助提高电源转换效率。对于电机驱动应用，它能有效地控制电机绕组电流，实现精准的速度和位置控制。使用时需注意合理的栅极驱动设计，确保MOSFET可靠开启和关断，并且要充分考虑散热问题，以保证器件稳定工作。

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