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SSM6K30FE

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SSM6K30FE
参数信息:

制造商:Toshiba

产品种类:MOSFET

晶体管极性:P-Channel

汲极/源极击穿电压:20 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:1.2 A

配置:Single Quad Drain

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

 更多参数信息

SSM6K30FE历史价格

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