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SSM6K30FE

更新时间:2025-05-18 06:14:45
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SSM6K30FE 规格参数
  • 制造商
    Toshiba
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    20 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    1.2 A
  • 配置
    Single Quad Drain
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    ES-6
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    500 mW
  • 工厂包装数量
    8000
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