SST25VF080B-50-4C-S2AF-T SST25VF080B-50-4C-S2AF//. SST25VF080B-50-4C-S2AF// SST25VF080B-50-4C-S2AF/ SST25VF080B-50-4C-S2AF./ SST25VF080B-50-4C-S2AF.. SST25VF080B-50-4C-S2AF.- SST25VF080B-50-4C-S2AF-. SST25VF080B-50-4C-S2A-F-. SST25VF080B-50-4C-S2A-F. SST25VF080B-50-4I-S2AF
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制造商：Microchip
产品种类：闪存
存储类型：SPI Flash
存储容量：8 Mbit
结构：Sectored
接口类型：4-Wire
Supply Voltage - Max：3.6 V
Supply Voltage - Min：2.7 V
最大工作电流：15 mA
SST25VF080B-50-4I-QAF相关技术应用
读、写操作电压2.7～3.6V；串行接口结构：SPI兼容模式0和模式3；高时钟频率：50MHz；高可靠性，保证100000次读/写(典型值)，数据保持超过100年； 超低功耗，动态读出电流：10mA(典型值)，待机电流：5μA(典型值)；灵活的擦除功能，均匀的4KB扇区，均匀的32KB叠加块，均匀的64KB叠加块； 快速擦除操作和字节编程时间，芯片擦除时间：35ms(典型值)，扇区/块擦除时间：18ms(典型值)，字节编程时间：7μs(典型值)； 自动地址增加(AAI)程序：字节编程操作减少整个芯片的编程时间； 写操作完成监测：软件方法在状态寄存器中查询BUSY位，在SO引脚读出忙碌状态；保持引脚(HOLD＃)：在没有取消选择1个装置时挂起一个串行的序列；写保护(WP＃)：在状态寄存器中允许/失效锁操作方法；软件写保护：在状态寄存器中通过块保护位写保护；温度范围：0～＋70℃(商用级C)，-40～＋85℃(工业级I)；所有无铅装置遵从RoHS标准；温度范围：- 40～＋85℃(工业级I)
引脚图：-
SST25VF080B-50-4I-QAF引脚图
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