SSW4N60BTM

制造商：Fairchild Semiconductor

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：600 V

闸/源击穿电压：+/- 30 V

漏极连续电流：4 A

电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.5 Ohms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：TO-263

封装：Reel

下降时间：55 ns

正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.7 S

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：3.13 W

上升时间：55 ns

工厂包装数量：750

典型关闭延迟时间：70 ns

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